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IGBT

绝缘栅双极型晶体管技术特性与市场应用


高品质的衬底材料

  • FZ,FZ-like,MCZ衬底
  • 薄晶圆的特殊边缘形貌

深沟槽和栅极优化

  • Deep Trench蚀刻和rounding优化
  • 高可靠性的栅氧化物生长

厚金属工艺

  • > 3um金属沉积

背面减薄晶圆处理

  • 晶圆背面减薄能力可至 50um
  • 晶圆背面压力释放工艺
  • 晶圆处理和分类
  • 高能量和高剂量离子注入
  • 激光热激活(背面离子植入)
  • 背面多层金属沉积

绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压 600V  至 6500 V,开关切换(switch)性能与低通态特性之间达到最佳匹配,可全面提高系统设计能效。

  • 功率晶体管
  • 汽车信息娱乐和远程信息处理系统
  • 汽车智能功率IC
  • 汽车用微控制器
  • 电机驱动器
  • 电源管理
  • 电视和显示器平台IC

我们将专注于开发高品质的MOSFET和IGBT器件,与客户和合作伙伴从设计,仿真到生产进行合作。

产品组合优化量产:

有价值和满意的客户, 可持续盈利能力, 以客户为导向,客户满意为目的, 按时交货, 优秀的周期时间, 杰出的客户服务。


IGBT 600-1750V应用

  • 低到中速(软开关)

充电器,储能,太阳能逆变器,UPS,焊接

  • 中速(〜10至40KHz)

家电,半桥谐振,电机控制,感应烹饪,太阳能逆变器,Microwave,UPS,多功能打印机,单个开关

  • 高达100KHz的速度

充电器,储能,PFC,SMP,太阳能,UPS,焊接



 
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