绝缘栅双极型晶体管技术特性与市场应用
高品质的基材
-
FZ，FZ-like，MCZ晶圆
-
薄晶圆的特殊边缘轮廓
硅沟和栅极优化
-
深沟槽蚀刻和舍入优化
-
强大的栅氧化物生长
-
多槽填充
厚金属工艺
背面THIN晶圆处理
-
晶圆背景下降到60um
-
背部磨砂后缓解压力
-
晶圆处理和分类
-
高能量和高剂量离子注入
-
激光热激活背面植入物掩蔽
-
坚固的多层背面金属化
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压为 350 V 至 6500 V，切换性能与低通态特性之间达到最佳匹配，可全面提高系统设计能效。
-
功率晶体管
-
汽车信息娱乐和远程信息处理系统
-
汽车智能功率IC
-
汽车用微控制器
-
电机驱动器
-
电源管理
-
电视和显示器平台IC
我们将专注于开发高品质的MOSFET和IGBT器件，与客户和合作伙伴从设计，仿真到生产进行合作。
产品组合优化量产：
有价值和满意的客户, 可持续盈利能力, 以客户为导向，客户满意为目的, 按时交货, 优秀的周期时间, 杰出的客户服务。
IGBT
600-1750V应用
充电器，储能，太阳能逆变器，UPS，焊接
家电，半桥谐振，电机控制，感应烹饪，太阳能逆变器，Microwave，UPS，多功能打印机，单个开关
充电器，储能，PFC，SMP，太阳能，UPS，焊接
|
