绝缘栅双极型晶体管技术特性与市场应用
高品质的衬底材料
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FZ，FZ-like，MCZ衬底
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薄晶圆的特殊边缘形貌
深沟槽和栅极优化
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Deep
Trench蚀刻和rounding优化
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高可靠性的栅氧化物生长
厚金属工艺
背面减薄晶圆处理
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晶圆背面减薄能力可至 50um
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晶圆背面压力释放工艺
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晶圆处理和分类
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高能量和高剂量离子注入
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激光热激活(背面离子植入)
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背面多层金属沉积
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 击穿电压 600V 至 6500 V，开关切换(switch)性能与低通态特性之间达到最佳匹配，可全面提高系统设计能效。
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功率晶体管
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汽车信息娱乐和远程信息处理系统
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汽车智能功率IC
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汽车用微控制器
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电机驱动器
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电源管理
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电视和显示器平台IC
我们将专注于开发高品质的MOSFET和IGBT器件，与客户和合作伙伴从设计，仿真到生产进行合作。
产品组合优化量产：
有价值和满意的客户, 可持续盈利能力, 以客户为导向，客户满意为目的, 按时交货, 优秀的周期时间, 杰出的客户服务。
IGBT 600-1750V应用
充电器，储能，太阳能逆变器，UPS，焊接
家电，半桥谐振，电机控制，感应烹饪，太阳能逆变器，Microwave，UPS，多功能打印机，单个开关
充电器，储能，PFC，SMP，太阳能，UPS，焊接
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